Prindi leht
NTMFS008N12MCT1G
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
454 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,952 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
100,20 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNTMFS008N12MCT1G
Tellimiskood3766209RL
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id79A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation102W
Power Dissipation Pd102W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
102W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
102W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0004
Toote jälitatavus