Prindi leht
NSVJ3910SB3T1G
JFET Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pin, 150 °C
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 073 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,325 € |
| 500+ | 0,271 € |
| 1500+ | 0,231 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
37,50 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrNSVJ3910SB3T1G
Tellimiskood3003845RL
Tehniliste andmete leht
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max40mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1.8V
Transistor Case StyleCPH
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1.8V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
40mA
Transistor Case Style
CPH
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.003629
Toote jälitatavus