Prindi leht
MMUN2216LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
41 425 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,153 € |
| 50+ | 0,0916 € |
| 100+ | 0,0573 € |
| 500+ | 0,0401 € |
| 1500+ | 0,0382 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
0,76 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrMMUN2216LT1G
Tellimiskood9556699
Tehniliste andmete leht
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R14.7kohm
Base Emitter Resistor R2-
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min160hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The MMUN2216LT1G is a NPN Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Rakendused
Industrial, Power Management
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
4.7kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
-
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele MMUN2216LT1G
Leiti 1 toodet
Seotud tooted
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000033
Toote jälitatavus