Prindi leht
MMBT3904LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
51 000 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 3000+ | 0,0172 € |
| 9000+ | 0,0143 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 3000
Mitmekordne: 3000
51,60 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrMMBT3904LT1G
Tellimiskood2317804
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
MMBT3904LT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 50nAdc max (VCE = 30VDC, VEB = 3.0Vdc)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100µADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele MMBT3904LT1G
Leiti 8 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000033
Toote jälitatavus