Prindi leht
MJE5730G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
892 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,850 € |
| 10+ | 0,771 € |
| 100+ | 0,681 € |
| 500+ | 0,571 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,85 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrMJE5730G
Tellimiskood2845312
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max300V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002041
Toote jälitatavus