Prindi leht
MJB44H11G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 223 Laos
45 Varusid saab nüüd reserveerida
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,960 € |
| 10+ | 0,885 € |
| 100+ | 0,848 € |
| 500+ | 0,748 € |
| 1000+ | 0,625 € |
| 5000+ | 0,596 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,96 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrMJB44H11G
Tellimiskood2535625
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation50W
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Low collector to emitter saturation voltage (VCE (sat) = 1V maximum at 8A)
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- ESD rating - 3B <gt/> 8000V human body model, C <gt/> 400V machine model
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 7.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Rakendused
Industrial, Power Management
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
50W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele MJB44H11G
Leiti 3 toodet
Seotud tooted
Leiti 3 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00229
Toote jälitatavus