Prindi leht
H11A1M
Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, DIP, 6 Pins, 60 mA, 7.5 kV, 50 %
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 622 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,484 € |
| 10+ | 0,318 € |
| 25+ | 0,299 € |
| 50+ | 0,281 € |
| 100+ | 0,262 € |
| 500+ | 0,213 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,48 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Toote ülevaade
The H11A1M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic input and microprocessor input.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
Rakendused
Power Management, Industrial
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
50%
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00127
Toote jälitatavus