Prindi leht
FQB47P06TM-AM002
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 373 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 1,980 € |
| 250+ | 1,940 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
203,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFQB47P06TM-AM002
Tellimiskood1495279RL
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The FQB47P06TM_AM002 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 84nC typical low gate charge
- 320pF typical low Crss
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001733
Toote jälitatavus