Prindi leht
FGY100T65SCDT
IGBT, 200 A, 1.5 V, 750 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFGY100T65SCDT
Tellimiskood3615798
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage1.5V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
200A
Power Dissipation
750W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Ei
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Ei
Väga ohtlik aine:No SVHC (15-Jan-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1