Prindi leht
FGD3440G2-F085V
IGBT, 26.9 A, 1.2 V, 166 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFGD3440G2-F085V
Tellimiskood3615763
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current26.9A
Collector Emitter Saturation Voltage1.2V
Power Dissipation166W
Collector Emitter Voltage Max400V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Toote ülevaade
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
26.9A
Power Dissipation
166W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2V
Collector Emitter Voltage Max
400V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Vietnam
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Vietnam
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (15-Jan-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1
Toote jälitatavus