Prindi leht
FDS2672
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
4 166 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,380 € |
| 10+ | 1,640 € |
| 100+ | 1,140 € |
| 500+ | 0,921 € |
| 1000+ | 0,883 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,38 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFDS2672
Tellimiskood2453411
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The FDS2672 is a single N-channel MOSFET produced using advanced UItraFET Trench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele FDS2672
Leiti 1 toodet
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000187
Toote jälitatavus