Prindi leht
DTC114EET1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
18 070 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,156 € |
| 50+ | 0,0934 € |
| 100+ | 0,0584 € |
| 500+ | 0,0418 € |
| 1500+ | 0,0302 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
0,78 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrDTC114EET1G
Tellimiskood2101802
Tehniliste andmete leht
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-416
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation300mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The DTC114EET1G is a NPN Digital Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Rakendused
Industrial, Automotive, Power Management
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-416
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
300mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele DTC114EET1G
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000005
Toote jälitatavus