Prindi leht
BSS138LT1G
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
12 000 Laos
21 000 Varusid saab nüüd reserveerida
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 3000+ | 0,045 € |
| 9000+ | 0,0402 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 3000
Mitmekordne: 3000
135,00 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrBSS138LT1G
Tellimiskood2317879
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The BSS138LT1G is a N-channel Power MOSFET designed for use in DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low threshold voltage VGS (th) = 0.5 to 1.5V
- Miniature SOT-23 surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating temperature range
Rakendused
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (3)
Alternatiivid tootele BSS138LT1G
Leiti 8 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000029
Toote jälitatavus