Prindi leht
BC850BLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 14 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 3000+ | 0,0181 € |
| 9000+ | 0,0134 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 3000
Mitmekordne: 3000
54,30 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrBC850BLT1G
Tellimiskood2440798
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele BC850BLT1G
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus