Prindi leht
BC846BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 380 mW
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaONSEMI
Tootja toote nrBC846BDW1T1G
Tellimiskood2317636
TootevalikBCxxx Series
Tehniliste andmete leht
66 336 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,199 € |
| 50+ | 0,109 € |
| 100+ | 0,0724 € |
| 500+ | 0,0525 € |
| 1500+ | 0,0407 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
1,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrBC846BDW1T1G
Tellimiskood2317636
TootevalikBCxxx Series
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN65V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN380mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product RangeBCxxx Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
- Halogen-free
Rakendused
Audio, Power Management
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
65V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
380mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
BCxxx Series
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele BC846BDW1T1G
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000006
Toote jälitatavus