Prindi leht
4N36-M
Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, DIP, 6 Pins, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
131 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,584 € |
| 10+ | 0,344 € |
| 25+ | 0,331 € |
| 50+ | 0,317 € |
| 100+ | 0,304 € |
| 500+ | 0,258 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,58 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Toote ülevaade
The 4N36-M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V Highest allowable over-voltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
Rakendused
Power Management, Industrial
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
100%
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Alternatiivid tootele 4N36-M
Leiti 8 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001331
Toote jälitatavus