Prindi leht
MW6S004NT1
RF FET Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
118 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 14,930 € |
| 5+ | 13,370 € |
| 10+ | 11,810 € |
| 50+ | 11,040 € |
| 100+ | 10,190 € |
| 250+ | 9,980 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
14,93 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNXP
Tootja toote nrMW6S004NT1
Tellimiskood2776246
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds68VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max2000MHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
68VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0003
Toote jälitatavus