Prindi leht
MRF101AN
RF FET Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaNXP
Tootja toote nrMRF101AN
Tellimiskood2985308
TootevalikMRF101AN; MRF101BN
Tehniliste andmete leht
668 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 27,110 € |
| 5+ | 24,680 € |
| 10+ | 22,250 € |
| 50+ | 20,030 € |
| 100+ | 19,210 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
27,11 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNXP
Tootja toote nrMRF101AN
Tellimiskood2985308
TootevalikMRF101AN; MRF101BN
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds133V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation182W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max250MHz
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeMRF101AN; MRF101BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Toote ülevaade
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Rakendused
Industrial, Communications & Networking
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
133V
Power Dissipation
182W
Operating Frequency Max
250MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
MRF101AN; MRF101BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000907
Toote jälitatavus