Prindi leht
MMRF1015NR1
RF FET Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
10 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 20,520 € |
| 5+ | 18,950 € |
| 10+ | 17,380 € |
| 50+ | 16,300 € |
| 100+ | 15,120 € |
| 250+ | 14,550 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
20,52 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNXP
Tootja toote nrMMRF1015NR1
Tellimiskood3128725
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds0.27V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleTO-270
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
0.27V
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
TO-270
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0035