Prindi leht
BF512,215
RF FET Transistor, 20 V, 30 mA, 250 mW, TO-236AB
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Tooteteave
TootjaNXP
Tootja toote nrBF512,215
Tellimiskood2985161RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Power Dissipation Pd250mW
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB
No. of Pins3Pins
RF Transistor CaseTO-236AB
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
250mW
Power Dissipation Pd
250mW
Transistor Case Style
TO-236AB
RF Transistor Case
TO-236AB
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0003
Toote jälitatavus