Prindi leht
PSMN1R0-100ASFJ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 000 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 6,780 € |
| 50+ | 6,310 € |
| 100+ | 5,890 € |
| 250+ | 5,770 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
72,80 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrPSMN1R0-100ASFJ
Tellimiskood4574208RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id460A
Drain Source On State Resistance990µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.55kW
No. of Pins12Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
990µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
12Pins
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
460A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.55kW
Operating Temperature Max
175°C
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus