Prindi leht
PMDPB55XP,115
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
4 158 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,343 € |
| 10+ | 0,245 € |
| 100+ | 0,195 € |
| 500+ | 0,183 € |
| 1000+ | 0,172 € |
| 5000+ | 0,134 € |
Hind:Each
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
1,72 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrPMDPB55XP,115
Tellimiskood2191806
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.055ohm
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel490mW
Power Dissipation P Channel490mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The PMDPB55XP is a dual P-channel enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Rakendused
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Portable Devices
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.055ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
490mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
490mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000454
Toote jälitatavus