Prindi leht
GANE3R9-150QBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Pakendivõimalused
2 322 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 6,290 € |
| 50+ | 5,700 € |
| 100+ | 5,240 € |
| 250+ | 4,930 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
62,90 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGANE3R9-150QBAZ
Tellimiskood4414367RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Typical Gate Charge20nC
No. of Pins25Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
No. of Pins
25Pins
Continuous Drain Current Id
100A
Typical Gate Charge
20nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus