Prindi leht
GANE3R9-150QBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Pakendivõimalused
2 322 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 7,340 € |
| 5+ | 6,820 € |
| 10+ | 6,290 € |
| 50+ | 5,700 € |
| 100+ | 5,240 € |
| 250+ | 4,930 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
7,34 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGANE3R9-150QBAZ
Tellimiskood4414367
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Typical Gate Charge20nC
Transistor Case StyleVQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins25Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Case Style
VQFN
No. of Pins
25Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
100A
Typical Gate Charge
20nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus