Prindi leht
GANB4R8-040CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
4 962 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,230 € |
| 10+ | 1,660 € |
| 100+ | 1,320 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 1,050 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,23 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGANB4R8-040CBAZ
Tellimiskood4414365
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge15.8nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins22Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
-
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
22Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
15.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus