Prindi leht
GAN7R0-150LBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 640 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,870 € |
| 10+ | 2,540 € |
| 100+ | 2,050 € |
| 500+ | 1,830 € |
| 1000+ | 1,570 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,87 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGAN7R0-150LBEZ
Tellimiskood4198484
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.0056ohm
Typical Gate Charge7.6nC
Transistor Case StyleFCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0056ohm
Transistor Case Style
FCLGA
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
28A
Typical Gate Charge
7.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000833
Toote jälitatavus