Prindi leht
GAN3R2-100CBEAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 318 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 4,530 € |
| 10+ | 3,530 € |
| 100+ | 2,740 € |
| 500+ | 2,330 € |
| 1000+ | 2,280 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
4,53 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGAN3R2-100CBEAZ
Tellimiskood4198483
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Typical Gate Charge9.2nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
60A
Typical Gate Charge
9.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000833
Toote jälitatavus