Prindi leht
GAN111-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
237 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 8,900 € |
| 50+ | 7,560 € |
| 100+ | 7,230 € |
| 250+ | 6,890 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
94,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGAN111-650WSBQ
Tellimiskood4550980RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Typical Gate Charge4.9nC
No. of Pins3Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
21A
Typical Gate Charge
4.9nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus