Prindi leht
GAN039-650NTBZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, SOT-8005, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Pakendivõimalused
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 22 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 11,720 € |
| 5+ | 11,000 € |
| 10+ | 10,280 € |
| 50+ | 9,590 € |
| 100+ | 8,890 € |
| 250+ | 8,620 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
11,72 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGAN039-650NTBZ
Tellimiskood4313176RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id58.5A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Typical Gate Charge26nC
Transistor Case StyleSOT-8005
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins12Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
SOT-8005
No. of Pins
12Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
58.5A
Typical Gate Charge
26nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.1