Prindi leht
GAN039-650NTBJ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
829 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 10,300 € |
| 50+ | 10,290 € |
| 100+ | 9,320 € |
| 250+ | 9,130 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
108,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrGAN039-650NTBJ
Tellimiskood4550979RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id58.5A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Typical Gate Charge26nC
No. of Pins12Pins
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
No. of Pins
12Pins
Continuous Drain Current Id
58.5A
Typical Gate Charge
26nC
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus