Prindi leht
BSS84AKS,115
Dual MOSFET, P Channel, 50 V, 160 mA
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
49 179 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,303 € |
| 50+ | 0,196 € |
| 100+ | 0,095 € |
| 500+ | 0,0901 € |
| 1500+ | 0,0744 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
1,52 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaNEXPERIA
Tootja toote nrBSS84AKS,115
Tellimiskood1972665
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel160mA
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel4.5ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Toote ülevaade
The BSS84AKS is a dual P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
Rakendused
Industrial, Power Management
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
160mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4.5ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000005