Prindi leht
MTA4ATF51264HZ-3G2J1
RAM Memory Module, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, 260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM, Notebook SODIMM
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
23 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Saadaval, kuni laos jätkub
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 45,460 € |
| 5+ | 43,190 € |
| 10+ | 38,360 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
45,46 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaMICRON
Tootja toote nrMTA4ATF51264HZ-3G2J1
Tellimiskood3775030
Tehniliste andmete leht
Memory Density4GB
Memory Speed1MHz
Module MemoryPC4-3200
Module Form Factor260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Memory ApplicationNotebook SODIMM
Memory Configuration512M x 64bit
Supply Voltage Min1.14V
Supply Voltage Max1.26V
Supply Voltage Nom1.2V
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised andmed
Memory Density
4GB
Module Memory
PC4-3200
Memory Application
Notebook SODIMM
Supply Voltage Min
1.14V
Supply Voltage Nom
1.2V
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Speed
1MHz
Module Form Factor
260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Memory Configuration
512M x 64bit
Supply Voltage Max
1.26V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Singapore
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Singapore
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.009072