Prindi leht
MT8KTF51264HZ-1G9P1
RAM Memory Module, 4 GB, 1.866 GHz, PC3-14900, 204-Pin DDR3L SDRAM SO-DIMM, Notebook SODIMM
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
36 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 65,730 € |
| 5+ | 62,400 € |
| 10+ | 59,060 € |
| 50+ | 52,130 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
65,73 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaMICRON
Tootja toote nrMT8KTF51264HZ-1G9P1
Tellimiskood4242657
Tehniliste andmete leht
Memory Density4GB
Memory Speed1.866GHz
Module MemoryPC3-14900
Module Form Factor204-Pin DDR3L SDRAM SO-DIMM
Memory ApplicationNotebook SODIMM
Memory Configuration512M x 64bit
Supply Voltage Min1.283V
Supply Voltage Max1.45V
Supply Voltage Nom1.35V
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised andmed
Memory Density
4GB
Module Memory
PC3-14900
Memory Application
Notebook SODIMM
Supply Voltage Min
1.283V
Supply Voltage Nom
1.35V
Operating Temperature Max
70°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Speed
1.866GHz
Module Form Factor
204-Pin DDR3L SDRAM SO-DIMM
Memory Configuration
512M x 64bit
Supply Voltage Max
1.45V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001