Prindi leht
MIW80N120NT1YHE3-BP
IGBT, 145 A, 1.75 V, 521 W, 1.2 kV, TO-247AB, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Tootja toote nrMIW80N120NT1YHE3-BP
Tellimiskood4734424
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
registreerige oma huvi siin
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 11,990 € |
| 5+ | 8,880 € |
| 10+ | 7,350 € |
| 50+ | 6,810 € |
| 100+ | 6,390 € |
| 250+ | 6,230 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
11,99 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
Tootja toote nrMIW80N120NT1YHE3-BP
Tellimiskood4734424
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current145A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation521W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
145A
Power Dissipation
521W
Transistor Case Style
TO-247AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001