Prindi leht
BFY52
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 20 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaMAGNATEC
Tootja toote nrBFY52
Tellimiskood1208599
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max20V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation800mW
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency60MHz
DC Current Gain hFE Min60hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-39
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
20V
Power Dissipation
800mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
60MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Great Britain
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Great Britain
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0024