Prindi leht
IXYN100N65C3H1
IGBT Module, Single, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
283 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 25,930 € |
| 5+ | 22,490 € |
| 10+ | 19,050 € |
| 50+ | 18,910 € |
| 100+ | 18,770 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
25,93 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaLITTELFUSE
Tootja toote nrIXYN100N65C3H1
Tellimiskood3930297
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current160A
DC Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation600W
Power Dissipation Pd600W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Toote ülevaade
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
- XPT™ 650V GenX3™ w/ sonic diode
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- 2500V isolation voltage
- Anti-parallel sonic diode
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
600W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
600W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
-
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus