Prindi leht
IXFN90N85X
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
111 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 47,080 € |
| 5+ | 44,540 € |
| 10+ | 42,010 € |
| 50+ | 39,470 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
47,08 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaLITTELFUSE
Tootja toote nrIXFN90N85X
Tellimiskood3930244
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds850V
Drain Source On State Resistance0.041ohm
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation1.2kW
Power Dissipation Pd1.2kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Toote ülevaade
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
850V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation Pd
1.2kW
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.045759
Toote jälitatavus