Prindi leht
IXYN82N120C3H1
IGBT Module, Single, 105 A, 3.2 V, 500 W, 150 °C, SOT-227B
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXYN82N120C3H1
Tellimiskood2674802
TootevalikXPT GenX3
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 52 nädal(at)
| Kogus | |
|---|---|
| 300+ | 20,020 € |
Hind:Each
Minimaalne: 300
Mitmekordne: 300
6 006,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXYN82N120C3H1
Tellimiskood2674802
TootevalikXPT GenX3
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current105A
Continuous Collector Current105A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
Power Dissipation Pd500W
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
No. of Pins4Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeXPT GenX3
SVHCLead (17-Jan-2023)
Toote ülevaade
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
105A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Power Dissipation Pd
500W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
105A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.2V
Power Dissipation
500W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SOT-227B
No. of Pins
4Pins
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
XPT GenX3
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.03
Toote jälitatavus