Prindi leht
IXYH50N120C3
IGBT, 100 A, 3.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXYH50N120C3
Tellimiskood2674799
TootevalikXPT GenX3
Tehniliste andmete leht
Ei ladustata enam
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXYH50N120C3
Tellimiskood2674799
TootevalikXPT GenX3
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeXPT GenX3
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
750W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
XPT GenX3
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006