Prindi leht
IXYH40N65C3H1
IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 40 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 8,430 € |
| 5+ | 7,380 € |
| 10+ | 6,110 € |
| 50+ | 5,480 € |
| 100+ | 5,440 € |
| 250+ | 5,390 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
8,43 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXYH40N65C3H1
Tellimiskood2470019
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele IXYH40N65C3H1
Leiti 4 toodet
Seotud tooted
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006
Toote jälitatavus