Prindi leht
IXXH80N65B4H1
IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXXH80N65B4H1
Tellimiskood3438444
TootevalikXPT GenX4
Tehniliste andmete leht
7 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 13,010 € |
| 5+ | 10,470 € |
| 10+ | 7,920 € |
| 50+ | 7,780 € |
| 100+ | 7,650 € |
| 250+ | 7,510 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
13,01 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXXH80N65B4H1
Tellimiskood3438444
TootevalikXPT GenX4
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation625W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeXPT GenX4
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
160A
Power Dissipation
625W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
XPT GenX4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (12-Jan-2017)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.004