Prindi leht
IXXH30N60B3D1
IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXXH30N60B3D1
Tellimiskood3438443
TootevalikXPT GenX3
Tehniliste andmete leht
139 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 5,420 € |
| 5+ | 5,150 € |
| 10+ | 4,890 € |
| 50+ | 4,620 € |
| 100+ | 4,360 € |
| 250+ | 4,090 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
5,42 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXXH30N60B3D1
Tellimiskood3438443
TootevalikXPT GenX3
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.66V
Power Dissipation270W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeXPT GenX3
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
270W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
XPT GenX3
Collector Emitter Saturation Voltage
1.66V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (12-Jan-2017)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.009982
Toote jälitatavus