Prindi leht
IXTH50N20
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.045 ohm, TO-247, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXTH50N20
Tellimiskood9359540
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Alternatiivid tootele IXTH50N20
Leiti 1 toodet
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (12-Jan-2017)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006