Prindi leht
IXGH60N60C3D1
IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXGH60N60C3D1
Tellimiskood3438397
TootevalikGenX3
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 13,100 € |
| 5+ | 10,550 € |
| 10+ | 7,990 € |
| 50+ | 7,640 € |
| 100+ | 7,290 € |
| 250+ | 6,940 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
13,10 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXGH60N60C3D1
Tellimiskood3438397
TootevalikGenX3
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation380W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeGenX3
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
380W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
GenX3
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (12-Jan-2017)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.004
Toote jälitatavus