Prindi leht
IXGH32N170
IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 35 nädal(at)
| Kogus | |
|---|---|
| 300+ | 13,070 € |
Hind:Each
Minimaalne: 300
Mitmekordne: 300
3 921,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXGH32N170
Tellimiskood2674773
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation350W
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
350W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006
Toote jälitatavus