Prindi leht
IXGH16N170
IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
346 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 11,430 € |
| 5+ | 10,550 € |
| 10+ | 9,670 € |
| 50+ | 8,790 € |
| 100+ | 7,910 € |
| 250+ | 7,030 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
11,43 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXGH16N170
Tellimiskood2674771
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current32A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation190W
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (17-Jan-2023)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
32A
Power Dissipation
190W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006
Toote jälitatavus