Prindi leht
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXFN80N50
Tellimiskood7348029
TootevalikHiPerFET Series
Tehniliste andmete leht
84 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Saadaval, kuni laos jätkub
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 55,930 € |
| 5+ | 53,130 € |
| 10+ | 40,620 € |
| 50+ | 39,530 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
55,93 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXFN80N50
Tellimiskood7348029
TootevalikHiPerFET Series
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation780W
Power Dissipation Pd780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Toote ülevaade
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Rakendused
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.234507