Prindi leht
IXA12IF1200HB
IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXA12IF1200HB
Tellimiskood1829714
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current20A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation85W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Toote ülevaade
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
20A
Power Dissipation
85W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seotud tooted
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006