Prindi leht
IXFT28N50F
RF FET Transistor, 500 V, 28 A, 315 W, 500 kHz, TO-268
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaIXYS RF
Tootja toote nrIXFT28N50F
Tellimiskood1347760
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id28A
Power Dissipation315W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max500kHz
Transistor Case StyleTO-268
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
315W
Operating Frequency Max
500kHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
28A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-268
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.004