Prindi leht
ISP16DP10LMAXTSA1
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
687 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,782 € |
| 500+ | 0,663 € |
| 1000+ | 0,539 € |
| 5000+ | 0,491 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
83,20 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrISP16DP10LMAXTSA1
Tellimiskood4588735RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation5W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
3.9A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus